标签:内存

周评:半导体制造、测试
通过格雷戈里·哈雷——5月19日,2023 -评论:0

TECHCET预测半导体先驱收入,high-ƙ金属电介质和low-ƙ电介质,在2023年下半年将会增加,从目前的百分之零增长率反弹。晶圆开始卷料与扩张在2024年反弹2和3 nm逻辑器件。半还预测本季度半导体销售的全球经济衰退将结束,gi……»阅读更多

GDDR6 AI /毫升推理的性能
通过弗兰克铁——5月15日,2023 -评论:0

AI /毫升以闪电的速度发展。用不到一个星期的时间现在没有一些新的和令人兴奋的领域的发展,和应用程序像ChatGPT带来了生成人工智能能力坚定公众关注的前沿。AI /毫升是两个应用程序:培训和推理。每个依赖记忆表现,每个都有一组独特的需求,推动崔……»阅读更多

从数据中心到末端设备:AI /毫升与GDDR6推理
通过Rambus2023年5月- 03 -评论:0

支持3 d游戏机和电脑游戏,GDDR包性能使其AI /毫升推断一个理想的解决方案。从数据中心的核心推理迁移到网络边缘,并最终广泛的AI-powered物联网设备,GDDR内存的高带宽、低延迟、电源效率和适用性为高容量应用程序将分辨…»阅读更多

现代内存设计会议的重大挑战
通过Synopsys对此——4月26日,2023 -评论:0

记忆是每个电子的核心应用程序,和需求正在增长。用户希望更大容量、吞吐量和可靠性。同时,上市时间(TTM)目标和竞争压力要求在更短的项目计划开发记忆。这些要求对设计师的离散存储芯片施加巨大的压力,内存死于2.5……»阅读更多

如何eMRAM地址Advanced-Node soc的权力困境
通过拉胡尔。祖卡罗尔4月- 13,2023 -评论:0

拉胡尔。祖卡罗尔和Bhavana Chaurasia我们聪明,互联,数据驱动的世界需要更多的计算和能力。考虑到我们现在有各种各样的智能应用程序。汽车可以使用本地和远程运输乘客目的地的人工智能决策。机器人吸尘器保持家里整洁,smartwatches可以检测下降和紧急服务电话。嗨…»阅读更多

DDR5记忆使下一代计算
通过约翰Eble4月- 13,2023 -评论:0

计算内存转换可能只发生一次十年,但是当他们做什么,这是一个非常激动人心的时刻。当电平宣布的出版JESD79-5 DDR5 SDRAM标准在2021年,它标志着开始过渡到DDR5服务器和客户机dual-inline内存模块(服务器RDIMMs客户UDIMMs和SODIMMs)。我们现在坚定地在这条道路的使…»阅读更多

如何保障设计接口的内存
通过达纳·诺- 06年4月,2023 -评论:0

达纳·诺和布雷特默多克2017年,信用局Equifax宣布黑客已经违反了制度,释放1.47亿人的个人信息。结果,该公司已解决了集体诉讼的4.25亿美元援助那些影响,包括身份盗窃、欺诈、经济损失,和清理费用损失。威胁是否iden……»阅读更多

增加集成电路性能对记忆的影响
通过埃德·斯珀林3月- 30,2023 -评论:0

提高性能的先进半导体变得更加困难,因为芯片变得更复杂。有要处理更多的物理效应,不同的用例,和挑战在记忆更快。此外,老化的影响,一旦被忽略了现在成为至关重要的问题。史蒂文哇,Rambus研究员、著名的发明家,谈论不同的因素……»阅读更多

使用域Wall-Magnetic隧道结磁模拟的可行性可寻址的记忆
通过技术论文链接- - - 3月23日,2023 -评论:0

新技术论文题为“域Wall-Magnetic隧道结模拟使用当前和预计的内容可寻址内存数据”发表了UT奥斯汀和三星先进技术研究院的研究人员(我们)。文摘”的内存计算架构减少compute-memory瓶颈,模拟和数字转换之间的新瓶颈存在……»阅读更多

比较评价DRAM位线间隔的集成方案
通过邓普西邓3月- 16,2023 -评论:0

减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,DRAM过程开发变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。的主要因素影响Cb是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC) [1]。减少……»阅读更多

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